1550 nm大功率低噪声分布反馈激光器芯片设计

设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和波导结构的优化设计提升了芯片效率、降低了RIN;通过优化腔长与量子阱总增益之间的匹配参量及对光波导的优化设计,提高了芯片注入饱和点;通过提升注入水平提高了芯片输出功率.芯片测试结果显示,25℃时阈值电流为13 mA,斜率效率为0.38 W/A,输出功率为102 mW@300 mA,边模抑制比为51 dB@50 mW,RIN为-160 dB/Hz@300 mA.该芯片具备高输出功率、低RIN、低阈值电流、高斜率效率的特点.     

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)。     

略论企业家及其哲学理念

探讨了企业家的概念及其具有哲学理念的重要性。企业家只有抓住有利的环境提高自身素养 ,站在哲学的高度运筹企业宏观事务 ,才能将一个企业置于迅速成长的平台而得到长足发展。     

掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺

掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面（Mesa）制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺，采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面，3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术，制备出的台面表面光滑、侧壁连续，腐蚀深度差异为6%，最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1 550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升，900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW。     

1550 nm波段外腔窄线宽激光器增益芯片

针对外腔窄线宽激光器应用设计了一款半导体增益芯片，分析了斜率效率和增益谱特性，由于封装后增益峰红移会造成器件输出功率下降，指出设计中芯片的增益峰需偏离激光器激射波长。通过优化量子阱结构及材料应力，提高了芯片的斜率效率。为了降低芯片自身法布里-珀罗(FP)腔谐振效应，采用弯曲波导配合磁控溅射四层增透膜工艺，使芯片出光端面的有效反射率明显降低，提高了窄线宽激光器输出波长的稳定性。所设计芯片采用1%压应变量子阱材料，量子阱厚度为7.5 nm,量子阱数量为3个，芯片波导与解理面法线呈6°夹角。通过半导体流片工艺完成掩埋结芯片制作，并进行窄线宽激光器封装及测试，实现了1 550 nm波段高效稳定的窄线宽激光输出。