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以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度.基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式.分析比较了LPCVD炉内不同升温速率沉积氮化硅薄膜的表面性能.发现在变温沉积阶段,选择合适的降温速率是实现薄膜沉积...  相似文献   
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