浅议多媒体在教学中的应用

文章首先阐述了多媒体教学的概念及其优点,然后结合作者教学体会讨论了多媒体课件的制作思想和在教学中的应用.     

大型商业中心开发的空间影响分析——以上海五角场地区为例

近年来,大型商业中心的迅速发展对市民消费行为及既有商业格局产生了深远影响.以上海市五角场商业中心为研究对象,从消费类型和空间区位两个角度分析了五角场商业中心兴起前后消费者行为的变化特征,并据此分析大型商业中心对现有商业空间的影响,尝试揭示大型商业中心开发对现有商业体系的影响机制成因.研究表明,五角场商业中心兴起以后,消费者的总体购物频率有了大幅度增加,虽然到其他市级商业中心的频度没有明显降低,但消费发生了转移.不同消费类型受到的影响存在差异,中等级消费和易移动型消费受到影响较大;从消费转移来源上来看,转移到五角场的消费多来自其它商业中心,其影响是争夺与诱发两种作用交互进行的.从空间区位上来看,五角场兴起的影响在空间上存在差异.研究最后分析了地块属性与发生消费转移比例之间的相关关系,作为五角场兴起对消费者行为影响和空间影响差异的成因解释,获得了一些初步结论.     

一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究

对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。     

双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计

为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。     

简评《从控制到设计参数/算法建筑》

<正>建筑和技术并不是以相同的速度并肩发展。建筑界似乎习惯于使用过时的技术,并规避冒险(就是规避创新)。建筑发展与其他设计学科相比明显滞后,例如与手机、航天方面的工业设计相比。事实上,计算机辅助设计进入实践是在20世纪80年代,这大大增强了生产能力和效率。但建筑界并未跟上时代的脚     

BIM应用于体育建筑设计研究——国内外案例分析

相关软件公司开发了大量适用于当代BIM技术的辅助设计程序,每个软件都有各自的特点,而对于体育建筑设计,需要综合考虑项目自身特点选择设计软件.使用BIM软件不仅仅是一种图纸化的手段,还可以帮助设计师从新的角度去思考建筑设计的方法.     

滇西南岔河稀土矿稀土氧化物富集系数及其研究意义

对滇西南岔河稀土矿弱风化层、半风化层、全风化层、黏土层的111件样品进行统计与分析认为,稀土氧化物富集系数明显受风化壳的不同层位控制,与形成风化壳的岩石类型无明显关系.稀土氧化物富集系数的变化规律是:由半风化层到全风化层富集系数急剧升高,由全风化层到黏土层富集系数缓慢下降.稀土氧化物富集系数较好地反映了稀土氧化物在风化...     

非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压...     

矿产资源“一张图”管理的数据问题研究

结合云南省“一张图”管矿工作,对矿产资源核心数据整合及其入库数据规范化进行研究.重点研究内容为:矿产资源核心数据库建设源数据现状分析,即核心数据库数据来源分析,数据库数据源空间信息情况分析;矿产资源核心数据库建设数据规范化;矿产资源“一张图”审批监管系统数据库平台的物理架构和逻辑架构描述.