锌铜分离方法的试验研究(摘要)

天宝山矿东风选厂所处理的矿石为矽卡岩型低品位多金属硫化矿,主要有用矿物为闪锌矿、黄铜矿、方铅矿。该厂采用铜铅部分混合浮选,用硫酸锌加氰化物抑制锌,铜铅部分混合浮选精矿采用氰化法分离,混合浮选尾矿再选锌的工艺流程。近年来,随着入选矿石性质的变化,铜精矿含锌在12%左右,不仅降低了铜精矿质量,直接影响铜精矿售价,而且造成大量锌金属损失于铜精矿中。为降低铜精矿含锌,进行了选矿试验。研     

使用金锡合金焊接微波功率GaAs MESFET管芯

微波功率GaAsMESFET的结构是在半绝缘砷化镓衬底上外延生长n型薄层砷化镓,然后在其上做源、漏欧姆接触和肖特基势垒栅.我们通过管芯侧面和背面金属化实现了大面积源接地.器件对管芯焊接工艺的基本要求是:(1)低温焊接;(2)导电导热性能良好;(3)可靠性高;(4)成品率高等等.我们曾经试用工艺比较成熟的银浆烧结(烧结温度是370℃),但是发现部分管芯特性变坏和焊接不牢、热阻大、串联电阻大以及工艺重复性差等问题.经过分析,我们认为高的导热率和高的电导率是     

10GHz10W内匹配倒装型GaAs功率场效应晶体管

最近出现了一种倒装内匹配结构的砷化镓功率场效应管。在这种结构中,用无引线热压焊接的方法,把场效应管管芯的栅电极和漏电极直接连接到匹配网络的集总介质电容器上。在10GHz下,获得了增益3dB、输出功率10W、功率附加效率高达14％的结果。     

微波集成覆铜电路接地孔金属化技术

微波集成覆铜电路接地孔金属化技术段淑兰刘成名（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）１接地孔金属化工艺途径选择随着现代电子工业的迅速发展，微波集成电路在通信卫星、雷达、导航等领域得到广泛应用，同时新技术新工艺不断涌现。双面覆铜微带电路基片采用...     

金锡烧结的研究和应用提高了GaAs MESFET的可靠性

通过反复研究和不断摸索我们实验成功金锡烧结工艺，该工艺应用在ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的研制和生产过程中，明显地提高了产品的可靠性。     

使用凹槽磨块减薄GaAs功率MESFET芯片

在GaAs功率MESFET的研制和生产过程中,为了减小器件热阻,必须减薄芯片之后再进行管芯装架。目前我们要求芯片减薄到大约100μm。 为了改进芯片减薄工艺,我们加工了如图1所示的不锈钢凹槽磨块。其槽深是关键尺寸,它应该等于减薄之后的芯片厚度与粘料厚度之和。