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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱和俄歇电子能谱分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明:这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近。  相似文献   
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