应力对厚30 nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟

从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小。     

电流模式开关电源中的高精度锯齿波振荡器设计

提出了一种用于开关电源芯片的高性能锯齿波振荡器。基于U-I转换器原理．设计了精密电流产生电路;利用系统内部基准电压,设计了一种门限电压产生电路。从而有效地提高了振荡器频率稳定度和精度。基于TSMC0．5灿mBCD-Y-艺,利用Spectre软件进行电路仿真,在芯片典型应用环境下仿真得到锯齿波振荡频率为132kHz。频率随电源电压在3．6-6．4V变化范围和温度在-27-27℃变化范围以内可控制其偏移在±3％以下。该锯齿波振荡器已经成功应用于一款AC／DC降压开关电源芯片的设计中。     

一种适用于高频电流模式转换器的斜坡补偿电路的设计与实现

PWM DC/DC转换器的设计中,为了防止出现次谐波振荡,需要引入斜坡补偿电路,而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路,这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制,从而可以提高系统稳定性,使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明,这种方法能实现电压信号准确地相加。     

CMOS带隙基准源温度补偿的研究

在模拟和混合集成电路中，CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元，针对温度补偿对基准源性能的影响，本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发，分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。     

基于HSIM的铁电电容性能的研究

基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。