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无线电
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1.
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
谭开洲
石红
杨国渝
胡刚毅
蒲大勇
冯健
毛儒炎
《微电子学》
2004,34(2):164-167
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm^2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。
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