PECVD技术淀积硅Pn结太阳电池的双层抗反射膜

等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间的隔离提供了方便.用PECVD技术生长的氮化硅     

PECVD氮化硅抗反射膜的研究

采用PEGVD氮化硅作为硅PN结太阳电池的单层抗反射膜,可使光电转换效率增加38％,短路电流增益平均达42％。利用PECVD氮化硅的Si/N元素成份比随工艺条件可变的特点,进行了多层非均质氮化硅抗反射膜的研究,在可见光谱范围内其表面反射率为4.5％。     

PECVD氮化硅膜氢键及硅悬挂键的研究

用红外光谱、背散射能谱和电子自旋共振波谱研究了不同淀积条件下生长的PECVD氮化硅膜中的氢键,Si/N比和硅悬挂键。对薄膜在不同温度、氮气保护下退火后的氢键及硅悬挂键的变化也进行了测试和分析。     

多晶硅压阻式压力传感器

本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料,多晶硅电阻条构成惠斯通桥路,二者之间用介质隔离。器件的背面通过对单晶硅的腐蚀制成应力腔。与单晶硅器件相比,这种器件最突出的优点是不用pn结隔离,因而可把工作温限由130℃提高到200℃。通过对多晶硅生长条件及掺杂的控制,可望得到温度系数近似为零的器件。初步实验证明,多晶硅压阻式压力传感器很有应用前景。