偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正

提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息.该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,节省了光罩出版的时间.     

高聚物晶体的电子辐照损伤

电子显微镜是研究高聚物晶体结构的有效工具。但是由于高聚物对电子辐照极为敏感。在电镜中的电子束照射下,高聚物晶体的结构极易发生变化。尤其是将高分辨电子显微术用于高聚物结构的研究中,电子辐照损伤的影响更为突出。本工作利用选区电子衍射和高分辨电子显微术,研究了随电子辐照剂量的增加,PPTA和[Ge(Pc)O]n两种高聚物结构的损伤过程。随着电子辐照剂量的增加,PPTA纤维样品电子衍射斑点的强度逐渐减弱,直至完全消失。图1显示了这一变化过程。测量了总终点辐照量(TEPD)及各衍射斑点的终点辐照量(EPD)。结果表明,影响衍射斑点消失先后次序的因素主要是斑点的指数顺序和斑点强度。测量了加速电压对耐辐照剂量的影响,当     

聚酞菁硅氧烷的高分辨电子显微术研究

本文研究了聚酞菁硅氧烷晶粒的结构,拍摄了这种晶体的晶格像,包括(020)晶面条纹像及(020)和(002)晶面的两维晶格像。观察到该种晶体中存在结晶完善的区域和缺陷集中的区域,同时拍摄了聚酞菁锗氧烷的晶格像,比较了这两种同系物的结构。     

芳纶Ⅱ树脂微观形态结构的研究

<正> 有人曾用X光技术确定了kevlar纤维中晶体的晶胞参数,Dobb等则用电镜在电子衍射、暗场像以及高分辨晶格条纹像等方面对kevlar纤维做了较为详细的研究,提出了径向辐射状折褶结构模型。另外一些文章对纤维的形态结构做了进一步的研究,但对晶区排列方式没有给出详细的解释。潘智存等用扫描电镜对PPTA树脂表面进行了观察,     

用在可制造性设计中的光刻规则检查

可制造性设计(DFM)已经发展成为优化通晓制造技术设计中的有效工具,它包含从理论、规则到工具的整体应用来提升从设计到硅片的流程.基于制程模型的光刻规则检查(LRC),可查出没被设计规则检查(DRC)出来的设计布局的不足之处.本设计把光刻规则检查加入到设计流程中,用来优化设计规则,改善布局更有利光学邻近效应修正,使布局图形有更大的制程窗口.