快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ,在Ｎ２气氛下,经高温快速退火,然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加,本文对这两个峰的来源作了探讨,提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有关能级的跃迁机制的解释     

用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性

本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Ａｌ２Ｏ３上生长一层ＺｎＯ,再用ＬＰＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长ＧａＮ．实验发现低温生长ＣａＮ过渡层有利于晶体质量的提高;ＰＬ谱主峰红移到蓝光区;二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）测量发现有Ｚｎ扩散到ＧａＮ外延层,Ｚｎ的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在１０５０℃Ｚｎ在ＧａＮ中扩散系数是８６×１０－１４ｃｍ２／ｓ．     

快速退火Mg：GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ：ＧａＮ,在Ｎ２气氛下,经高温快速退火,然后进行光致发光测量。分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加,本文对这两个峰的醚源作了探讨,提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有关能级的跃迁机制的解释。     

在ZnO／Al2O3衬底上生长高质量GaN单晶薄膜

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高;样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区,这对于研制蓝色ＬＥＤ具有一定的启发意义。