从CLEO''''98看半导体激光器的最新进展

根据ＣＬＥＯ’９８ 会议报道的有关内容,综述了半导体激光器的发展状况。重点叙述了大功率ＬＤ、可见光ＬＤ、中红外ＬＤ 及垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ） 的最新研究进展     

用激光探针研究CW CO_2激光对离子注入硅的退火机理

本文用激光探针测量了砷离子注入硅在 CW CO_2激光退火过程中的实时分辨反射率。从反射率随时间的变化曲线,计算出不同退火温度下的固相外延速率。提出了用 He-Ne、He—cd 双光束探针法可在更宽的温度范围内具有更高的分辨率。     

半导体激光器与异质结光晶体管单片集成多功能器件

该器件既可以是GaAs/GaA1As材料,也可以是InP/InGaAsP材料的多层纵向结构。它采用多次液相外延制成,上面是异质结光晶体管,它有很高的光转换增益;下面是半导体激光器,它有较低     

GaAs／GaAlAs激光放大器的双稳态特性研究

我们实验研究了Gn_xAl_(1-x)As法珀型激光放大器在失谐状态下的双穗态特性并给出了理论分析。双稳态特性是由入射光的折射率改变所致。实验结果与理论分析结果基本一致。最小临界触发功率约为30μW。     

红外激光双光束无损检测的数据采集法

讨论了红外激光双光束干涉信号的数据采集及在半导体器件无损检测中的应用，并利用采集结果分析对比了器件的特性。     

稀土铒的掺入对光晶体管性能的改善

使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从60～70小时减至3～4小时，同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结．用于光晶体管使其光增益高达4000，和未使用铒吸杂剂相比增加近3倍．     

单晶和多晶LaB6阴极发射性能的实验研究

讨论了由国内外3个不同来源的六硼化镧（LaB6)制成的阴极的发射性能，用标号1^#,2^#,3^#表示，其中1^#是LaB6单晶阴极，2^#,3^#分别是国外和国产的多晶阴极。实验主要测试了它们的发射特性，并作了简单分析，同时运用扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针，X射线晶格衍射分析等手段对LaB6材料进行了分析，比较了LaB6材料质量与发射性能的关系。文中还对部分阴极电子学的重要结信纸及典型数据处理方法作了补充。     

激光器件的进展

本文根据１９９４年举行的第１０届国际激光与电光会议与国际量子电子学会议上有关激光器发展的报告综合而成。     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。