半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．     

铁电半导体陶瓷材料电声成像中电声信号的产生

本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电声成像中，热波耦合机制和压电耦合机制对电声信号的产生均有着贡献，但热波耦合机制占主导地位。另外扫描电声显微镜在对材料的亚表面缺陷无损观察方面有着其它观察手段所无法比拟的优点。     

扫描电声显微镜中干扰信号及假信号的预防

本文对扫描电声显微镜电声成像中出现的干扰信号以及假?信号的产生进行了讨论. 指出扫描电声显微镜设备周围存在的高强度电场、磁?场、高频设备和仪器本身的接地是造成干扰信号出现的主要原因, 同时给出了一种能有效防止以上干扰的样品---探测器组件结构. 而在电声像中假信号产生?的原因则主要是由于样品和探测器接地不当所引起. 在进行电声成像观察和记?录时最好关掉电镜的对比度旋钮.     

Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥＡＭ技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。     

扫描电子声显微镜在半导体材料分析中的应用

本文利用国际上近几年发展起来的一种新型显微成像工具──扫描电子声显微镜（ＳＥＡＭ－ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对几种类型的半导体材料进行了电子声成像观察与研究．文中简述了扫描电子声显微镜的电子声成像机理和其工作原理．从获得的电子声图像上，反映出扫描电子声显微成像技术在对半导体材料的亚表面缺陷和掺杂分布方面有着直接观察与显示的能力．同时与相应位置所获得的二次电子像进行了比较，显示出了电子声显微成像技术的独特之处和潜在的应用价值．