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本文首次报道F预非晶注入与BF_2注入并在低温(600～800℃)下退火形成浅p~+n结。研究了这两种注入的电激活行为及漏电行为,并与B注入作了比较。F预非晶注入结合低温退火可形成xi<0.2μm,漏电流在nA/cm~2左右(V_R=-5V)的浅结。 相似文献
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<正> 一、引言 随着集成电路向更大规模、更高性能方向发展,器件的特征尺寸变得越来越小。传统的实验方法由于周期长、成本高已难以满足工艺开发和优化的要求;计算机技术的发展,改变了研究工艺的方法。借助模拟程序分析工艺过程,并寻找最佳的工艺条件将成为一种趋势。 模拟器件在刻蚀过程中的形貌特征,可以获得各种工艺条件变化时对器件条宽等因素的影响规律,并为优化工艺条件提供依据。由伯克利分校的A.R.Neureuther和W.G.Oldham领导的小组开发的形貌模拟程序SAMPLE(Simulation And Modelling of Profile for Lithography and Etching)经过不断的完善和扩充后,已成为二维形貌模拟中最为完整的工艺模拟程序。该程序能模拟接触式、投影式曝光;X射线和电子束曝光、显影、湿法和干法腐蚀,以及淀积等工艺过程。 相似文献
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<正> 一、引言 用BF_2代替B对CMOS源、漏P管注入具有几方面的优点。第一,束流大;第二,容易形成浅结;第三,湿O_2退火时,依赖于反偏电压,BF_2注入比B注入漏电小1～2个数量级。 在探讨BF_2注入漏电小的机理时,有人提出吸杂效应。吸杂是将杂质和缺陷移出空间 相似文献
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微电子技术是当今世界发展最快的技术之一，集成电路是微电子技术的核心，它的发展和在电子信息技术方面的应用，极大推动了国民经济的发展和国防力量的壮大。集成电路产业已被各国政府和地区作为战略性的产业，其技术水平和产业规模已成为衡量一个国家经济发展、技术进步和国防实力的重要标志。进入九十年代，世界电子信息技术突飞猛进的发展，为集成电路的发展提供了极为广阔的市场。据美国资料报道：1991年，世界半导体市场销售额为546亿美元；1992年增长6．8％，为583亿美元；1993年增长13．4％，为662亿美元；1994年增长51％，为10O0… 相似文献
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