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用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。 相似文献
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用Sol-Gel钛酸镧铅(PLT)溶胶,在CVD法沉积生成的二氧化锡/玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火(RTA)处理后,用X射线衍射(XRD)测试了膜的结晶取向,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明,Sol-GelPLT膜在SnO2衬底上能正常结晶,结晶温度与在Pt衬底上一致,结晶取向以〈100〉为主取向。10V时,SnO2衬底上厚度为0.56μm的PLT膜的漏电约为5.6×10-7A/mm2,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=24μC/cm2,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2的疲劳特性优于PLT/Pt结构。 相似文献
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用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制 相似文献
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ITO用作铁电薄膜电极的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是:sol-gelITO膜,虽然具有与CVD ITO膜相似的结晶性能和较高的导电性,但以sol-gel ITO膜作下电极,无法使PLT、PZT的sol-gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大,sol-gel ITO也无法作sol-gel铁电膜(如PLT,PZT)的上电极。但在CVD ITO膜上,sol-gel铁电膜能很好结晶,且Au/PLT/ITO电容,具有良好的电学性能。 相似文献
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