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The two-dimensional electron gas concentration dependence of photore-flectance of n-AlGaAs/GaAs heterostructures is reported and explained by analysing the physical process induced by photo-modulation. Comparison of the experimental results and energy level calculations based on a triangular potential well approximation shows good agreement. 相似文献
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本文介绍了一种低温低压CVD技术——光CVD技术的原理、设备、薄膜淀积及在半导体工艺中的应用.这种技术符合半导体工艺低温化的要求,可能简化目前的半导体器件生产工艺.文中还对该技术的应用前景作了讨论. 相似文献
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报道了GaAs-AIAs多量子阱(MQW)结构的室温光调制反射(PR)光谱。与2K下光荧光激发谱的对比表明室温下激子作用的重要性。讨论了GaAs-AlAsMQW结构的PR调制机制,指出它仍可能是表面电场调制,但不同于体材料的情形,而是具有一阶微商本质,并且在弱场条件下以量子化子带及相应激子带隙的斯塔克移动的调制为主。 相似文献
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本文首次报道了异质结NIPI结构的室温光调制反射光谱及其随调制光强的变化,并对调制机制进行了讨论.最后,通过比较理论与实验结果,对所观测到的跃迁过程进行了指派. 相似文献
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量子阱光反射光谱的电调制机理 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了量子阱材料光反射光谱的电调制机理,根据斯塔克效应,对量子阱中非激子的带间跃迁和激子跃迁两种情况,分析了电场引起的介电函数的改变和相应的光反射调制光谱线形,对GaAs/AlGaAs量子阱所得光反射光谱的实验结果与理论分析基本符合. 相似文献
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