GaAs离子注入FET的低场迁移率

我们叙述了一种推导离子注入GaAs MESFET栅下迁移率分布的新技术。该技术是以测量甚低漏-源电压下跨导和串联电阻为根据的。实验结果表明:沟道界面处的迁移率大约从最大值2500cm~2/V·s降到1000cm~2/V·s。     

硅上GaAs技术

随着材料质量的不断改进,最近研制出一种特别适合于集成光电子学的廉价衬底。众所周知,GaAs和Si相比,前者的光学和速度特性都优于后者,但它的热性能、绝缘性能及脆性都不如硅好。这种新研制的Si上GaAs则是集这种材料的特性于一体,深受广大制造者和用户的青睐。本文就目前世界上对Si上GaAs的研制工作作了概述,并对目前存在的工艺问题如晶格失配及减小位错密度的问题进行了讨论。实验证明采用MBE和MOCVD在Si上直接制作GaAs,其工艺简单,生长效果好。目前在Si(100)上制作的GaAs,其位错密度只有10~6/cm~2(要求值为10~4/cm~2)。预计Si上GaAs将是未来GaAs市场上的佼佼者。     

低暗电流InGaAs PIN光电二极管

本文研究了1.0～1.6μm 波长范围低暗电流 InGaAs/InP PIN 光电二极管。阐明了造成通常 InGaAs/InP 光电二极管暗电流的原因是通过 InGaAsp-n 结不稳定表面的漏电流。制造了一种新式结构的光电二极管,并对其光电特性进行了研究。在这种结构中,p-n 结的边缘露在 InP 表面,结果得到了暗电流低于1nA 的稳定的 InGaAs/JnP 光电二极管,此值约为锗光电二极管的1/1000。     

140Mbit s~(-1)单模光通信系统用的1.3μm波长简单条形结构和先进结构GaInAsP激光器的比较

中继间距超过10Km,数据率为140Mbit s~(-1)的长波长多模系统正在英国(U.K.)安装。要达到更长的中继线路和更高的数据率,多模光纤的带宽就成了严重问题,因而必须采用单模系统。这种系统需要稳定、高功率、可靠的激光器光源。本文讨论了适于单模光纤系统用的简单扩散条形和先进的多填充层隐埋异质结构激光器的性能。前者,利用肖特基TiPdAu接触和集成金热沉,为早期系统提供了一种简单而可靠的激光器,而后者阈值电流低,在稳定的单横模工作时,输出很高,为将来的系统提供了一种先进的结构。本文描述了两种激光器在140Mbit s~(-1)、30Km线路中作实验时的工作情况,并讨论了两种激光器在将来系统中的应用。     

微带封装:观察最后一个步骤

设计微波集成电路常常不考虑封装外壳将怎样改变阻抗和有效介电常数,本文提供了一些实用的公式能使设计者预先知道这种影响。     

具有高速通信功能的集成发射机和接收机模块

在局部地区网络和用户回路的一些应用中,要求低成本,高性能、牢固的发射机和接收机封装。前几年,就实现了混合小型化模块,这是一种把硅双极IC技术和InGaAsP LED或InGaAs PIN二极管组合在一起的器件。下一代混合器件是与GaAs IC的结合。不久的将来,单片光电集成电路将具有发射机和接收机的功能。     

高电子迁移率晶体管大规模集成电路

描述了用于大规模集成电路的自对准高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,它是基于选择掺杂 GaAs/AzGaAs 异质结结构。其内部逻辑延迟在77K 时为22ps/门,扇出大约为2,大致比 GaAsMESFET 技术快三倍。成功地研究了 HEMT 1Kb 和4KbSRAM 电路。HEMT 1Kb SRAM 表明地址存取时间在77K 时为0.87ns,功耗为360mW。采用1μm 栅器件和2μm 线宽工艺技术,设计的 HEMT 4Kb SRAM 的特性是地址存取时间为亚毫微秒.     

采用载流子饱和速度/电荷控制模型对亚微米栅长AlGaAs/GaAs调制掺杂EFT结构的设计计算

采用通常的电荷控制模型以及实际亚微米栅结构的载流子速度饱和概念,计算了AlGaAs/GaAs调制掺杂FET的直流和小信号交流特性。为了得到所希望的闽值电压和最大的栅电压幅度,设计者往往根据设计图表给出的优先选用的掺杂浓度来选择适当的n-AlGaAs厚度。在存在或不存在源和漏串联电阻的情况下,给出了0.25μm和0.8μm栅长结构的典型Ⅰ/Ⅴ理论特性、饱和电流和跨导与栅电压图的关系。     

双极模式JFET的热特性分析

从理论和实验两方面研究了温度对以双极模式工作的垂直JFET特性的影响。结果证明,双极JFET在功率应用中是一个很好的候选者,在这一应用中,该器件兼有随温度缓慢变化的甚低饱和电压和直流电流放大的负温度系数的作用。借助于器件工作的物理模型,研究了温度对直流电流增益和导通电阻的影响,该模式与实验结果非常一致。