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一、引言: 随着硅集成电路的迅速成发展,以及对器件的可靠性,移定性要求越来越高,人们普遍地认识到二氧化硅(SiO_2)虽然制备简单,但它毕竟不是完美的理想介质,因其在结构上多孔,介电常数低(ε=3.9),对水具有强为来合力以及水和其他气体具有高的渗透性,特别是阻挡Na(+)离子渗入能力差,以致造成了器件不稳定性,从而发展氮化硅(Si_3N_4)工艺以补SiO_2介质的缺陷。 相似文献
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