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构筑NiO/Ga2O3 p+-n异质结是克服Ga2O3 p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga2O3 p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、俘获和复合动力学之间的内在关联特性.变温电流-电压特性的量化分析表明,在正偏亚阈值区,陷阱辅助隧穿占据主导地位,符合多数载流子陷阱介导的Shockley-Read-Hall复合模型,其陷阱激活能为0.64 eV,与深能级瞬态谱测试的陷阱能级位置(EC-0.67 eV)非常吻合;当正向偏压大于器件开启电压时,器件输运特性由少数载流子扩散所主导,器件理想因子接近于1.在反向偏置的高场作用下,器件漏电机制则由β-Ga2O3体材料中的陷阱引起的PooleFrenkel (PF)发射所导致. PF发射的势垒高度为0.75 eV,与等温变频深能级瞬态谱测得的陷阱能级位置... 相似文献
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作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga2O3,亚稳相Ga2O3表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga2O3单晶薄膜是实现亚稳相Ga2O3基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga2O3的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga2O3异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga2O3材料和器件的发展趋势进行了展望。 相似文献
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