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1.
有序Ga_(0.5)In_(0.5)P光致发光的研究
董建荣
刘祥林
陆大成
汪渡
王晓晖
王占国
《半导体学报》
1996,17(3):180-185
本文用光致发光(PL)研究了MOCVD生长的有序Ga0.5In0.5P外延层的光学性质.发现有序程度较强的Ga0.5In0.5P样品的PL谱中,能量最高的峰的强度随温度升高,先减弱,然后增强,最后又减弱.我们提出了一个有序Ga0.5In0.5P的模型,认为有序Ga0.5In0.5P外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构,能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释.
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