排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能PowerICs应用的同心圆环源漏互包SOILIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
相似文献
2.
简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性。提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法,指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施。并提出了面向智能Power ICs应用的同心圆环源漏互包SOI LIGBT结构。及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
相似文献