珠宝新品推广需要差异化卖点——浅谈新产品推广策略

每年的珠宝销售旺季,市场上总能听到不少珠宝企业为新品上市推广的叫卖声,也经常会出现这样的情况:任由你投入大量的广告去诉说你的新产品如何如何好,如何如何新,如何如何能满足人们的需求,消费者却依然不买账.每年总是有大量的珠宝商家在新品推广时只是在交学费,真正能进入消费者视野并被消费者接受的珠宝新品并不多.     

单粒子瞬态电流脉冲测试技术研究进展

单粒子瞬态（single-eventtransient,SET）电流脉冲测试技术是在重离子微束中非常重要的一种实验测试技术手段,可以用来测量束流入射位置与单粒子瞬态电流脉冲之间关系,给出电流瞬态脉冲参数（如上升时问、衰退时问以及峰高等）的二维分布图,在微米空间尺度和皮秒时间尺度上对电荷产生、传输以及收集的瞬态过程进行研究。     

高LET值束流产生技术研究进展

随着器件抗辐射加固性能的提高,在进行地面模拟试验时对所用重离子的能量及其在材料中的线性能量传输（LET）的要求也越来越高。为了提高串列加速器束流能量及其在材料中的LET,最切实可行的办法是使用高剥离电荷态离子。     

半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.     

单粒子翻转二维成像技术

为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。     

串列二厅新管道RS232串口设备远程控制方案设计

空间辐射环境引起的微电子器件单粒子效应（sEE）是造成航天器工作异常和故障的重要原因之一。串列二厅正在建设的新管道及SEE靶室是专用于SEE效应研究的实验设备。在新管道的靶室内，装有大量RS232接口的串口设备，如电动平移台、电动升降台、电子快门等。在实验过程中，为避免实验人员进入二厅从而提高实验效率，需要在控制厅对这些串口设备进行远程控制。     

加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用

为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。     

职业化管理需要高素质的职业经理人

国内珠宝业在高速发展，但知名的珠宝品牌却数不出几个，企业经营和市场的不规范，珠宝企业的发展存在众多的问题，珠宝品牌难以形成的主要原因之一是许多企业仍然沿袭家族式管理，没有进行职业化管理，企业寿命短，当然也就很难形成有影响力的品牌。面对越来越专业化的生产经营，越来越激烈的市场竞争，企业必须引入职业化管理。     

32 微电子器件SEU灵敏体积研究

航天微电子器件灵敏体积（Sv）的厚度d在预估空间单粒子效应中是一个关键参数。这是由于多数预估单粒子翻转（SEU）率的模型都用到灵敏体积的概念。人们假定器件灵敏区是个长方的六面体（RPP模型），当入射粒子在该长方六面体中沉积的能量大于临界能量时引起SEU等事件。由于缺乏灵敏体积的准确信息，通常采用2μm的厚度，使预估得出不满意的结果。器件灵敏层前面的死层厚度也严重的影响测量和预估的结果。研究从实验上测量灵敏体积（Sv）的实际大小，是精确预估器件空间SEE率的关键。     

65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估

质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器（SRAM）质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%~86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。