采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT 低噪声放大器设计

宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配.通常,这两个指标是耦合在一起的.现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度.提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦.基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.放大器的工作带宽为0.8-2.4 GHz,增益在 16 dB以上,噪声系数小于3.25 dB, S11在-17 dB以下.     

全自动变速底排离心机

美国ALFA-LAVAL公司与日本松本机械制作所进行技术协作,研制出一种全自动、底排立式离心机Ⅲ型。装置上部为油压驱动方式并可变速,这种离心机用在制药、精细化工、特种化学品生产,受到高度评价。其特点如下:     

三十年——建设新时代：肖连望：城市建设的“追梦人”

清华1979级，入学于改革开放第一年。他们和改革开放一起成长，成为改革开放的亲历者和最早的一批受益者。     

基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计

基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好.     

傅立叶红外光谱在氟硅酸盐方面的应用

研究了用石蜡油法，溴化钾压片法对氟硅酸钠，氟硅酸钾的红外分析，得到了不同方法制得的红外谱图，确定了氟硅酸钠，氟硅酸钾吸收峰的位置。通过红外谱图分析，结果表明：氟硅酸钾的含量与其特征峰的吸收强度呈良好的线性关系，对氟硅酸钾做了简单的定量分析，得到相关系数达0．99以上。     

微波功率SiGe HBT研究进展

Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。