钨的热壁低压选择性化学气相淀积

超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料.     

用化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低接触电阻率

本文报道了用选择性低压化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低金属与扩散形成的n~+、p~+浅结的接触电阻率.发现硼扩散或磷扩散浓度以及退火温度对接触电阻率都有影响,钨硅之间无明显的相互扩散.采用这种技术,钨与n~+、p~+硅的接触电阻率分别低达(1.5～4)×10~(-7)和(1～3)×10~(-7)Ω·cm~2.但与掺杂浓度较低的掺硼硅的接触电阻率较大.     

高纯硅烷气的制取

本工作中把硅烷的吸附提纯与低温蒸馏提纯方法紧密地结合制取了高纯硅烷气体,同时对钢瓶包装的容器作电镀处理,保证了高纯硅烷气不被容器所沾污,从而保证了气体的质量。目前已把上述方法用于生产中,钢瓶充装的高纯硅烷气使用方便,能满足半导体器件工业的需要,对LPCVD(低压化学蒸气淀积)薄膜新工艺的推广,亦起了推动和促进作用。