化学腐蚀法显示InP单晶和外延层中的缺陷

<正> 一、前言 近年来,化学腐蚀技术已广泛地应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体结构缺陷的测定。由于光电器件的迅速发展,InP和GaAs等已成为激光和发光器件的重要材料。此类器件的性能直接与材料完整性有关。结构缺陷特别是位错将显著地影响器件的性能。例如在半导体激光和发光管中,如果发光区或其附近有位错存在,将造成暗线或暗点,除降低效率外,还会     

时变湍流对动态移动光斑定位精度的影响

为了研究时变湍流对跟瞄过程中动态平移的光斑定位和跟踪精度的影响,采用改进的逆傅里叶变换方法构造了体现大气湍流特性的随机相位屏,模拟仿真分析了不同强度时变湍流影响下光斑动态平移时探测器感受到的光斑质心与光斑实际质心之间的跟踪偏差、定位偏差与光斑在探测器上位置之间的关系,以及湍流强度对光斑质心定位精度的影响,给出了统计偏差曲线。结果表明,在时变大气湍流的影响下,光斑整体动态平移过程中实际质心的移动距离与接收端探测器感受到的光斑质心移动距离存在一个跟大气湍流强度成正比的偏差。动态平移过程中光斑质心的平移跟踪偏差与定位精度、大气湍流强度以及光斑在接收终端探测器上的位置有关。