大面积Si（Li）探测器

测量了不同温度条件下面积为４９ｍｍ×４９ｍｍ、厚３．５ｍｍ的Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的Ｉ－Ｖ特性。Ｓｉ（Ｌｉ）－Ｅ－１和Ｅ－２探测器对＾２３８Ｐｕ５．４９９ＭｅＶ α粒子的能量分辨率例如为５４．４ｋｅＶ和５７．０９ｋｅＶ。     

高分辨率同轴Ge(Li)探测器的研制

本文描述采用国产锗单晶制备高分辨率同轴Ge(Li)器的方法。由于某些工艺不断改革和完善,制得了灵敏体积为78cm~3的Ge(Li)探测器,它对~(60)Co 1.332MeV γ射线的能量分辨率FWHM为2.0keV,峰/康比为33.6:1。器件制备工艺具有重复性好和成品率高等特点。     

电致冷高分辨率Si（Li）能谱仪

电致冷高分辨率Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线能谱分析仪采用电阻反馈前置放大器，灵敏面积为２８ｍｍ＾２Ｓｉ（Ｌｉ）探测器，对＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶＸ射线，能量分辨率（ＦＷＨＭ）为７００ｅＶ左右，对探测器在不同温度下随偏压的变化，致冷功率与温度关系，冷却温度与时间关系进行了研究。     

电镜硅锂X—射线能谱仪的制备及修理技术

第一套电镜Ｘ射线探测器已经制成，探测器包括灵敏面积为２０ｍｍ＾２Ｓｉ（Ｌｉ）晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有７．５μ铍窗的低温装置和７．５升液氮杜瓦瓶。对＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ射线，能量分辨率为１５２ｅｖ。此外报道ＴＲＡＣＯＲ电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器修理的结果，修理后能量分辨率为１４８ｅＶ，与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于１立升。     

处理面垒探测器噪声不稳定及击穿现象的一种新方法

硅面垒探测器是半导体核辐射探测器中发展较早的一种器件,大多数情况下,采用N-型硅单晶,有些实验室也使用P-型硅单晶制备面垒探测器。因为硅的禁带宽为1.1eV,所以硅探测器的工作温度范围比锗探测器宽,它能在常温下工作,但是在40℃以上工作时,器件的漏电流和噪声随偏压升高而增大,经过70℃以上高温试验,器件往往变坏。美国加州大学劳伦     

电镜硅锂X－射线能谱仪的制备及修理技术

第一套电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器已经制成，探测器包括灵敏面积为２０ｍｍ￣２Ｓｉ（Ｌｉ）晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有７．５μ铍窗的低温装置和７．５升液氮杜瓦瓶。对￣（５５）Ｆｅ５．９ｋｅＶ射线，能量分辨率为１５２ｅＶ。此外报道ＴＲＡＣＯＲ电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器修理的结果，修理后能量分辨率为１４８ｅｖ，与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于１立升。     

N型碲锌镉探测器的制备和性能

碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速。我们实验室已制成φ8mm×1.7mm灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。