铜价态对ZnS掺铜电子结构的影响

本文使用LMTO－ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构，分析了两种不同铜价态的影响．结果表明：尽管两种情形下禁带中铜3d能级均靠近价带顶，但掺杂二价铜时发光中心的能级结构符合Schon－Klasens模型，而掺杂一价钢的结果支持Williams－Prener模型．     

TiNx系统的电子结构及所关联的光学性质

本文使用LMTO－ASA能带方法和超原胞方法计算了Ti-N系统中三个稳定相（α-Ti，ε-Ti2N和δ-TiN)的电子结构，然后通过将这三个稳定相作为样本并借助于统计超原胞方法。本文全面计算了TiNx系统的电子结构。在这基础上，我们又进一步计算了TiNx系统的联合态密谋，并利用所得结果初步探讨了TiNx系统的光学性质。通过与金的联合态密度的比较，我们得到了当组分x在0.4至0.6范围内，TiNx镀膜表观上可呈现金黄色。     

Ⅲ族氮化物外延层中的缺陷

采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明 ,黄色和蓝色发光与残留杂质有关。采用第一原理计算结果显示 ,残留 C、O杂质、本征缺陷等是黄色和蓝色的可能物理起源。采用原子力显微镜、扫描电镜、透射电镜及其能谱对 Ga N/Al Ga N异质结中的纳米管进行观测 ,了解了纳米管的形貌。结果表明 ,构成纳米管的小面可能是外延过程中表面吸附引起的 ;计算结果显示 ,纳米管形貌变化与 Ga N/Al Ga N界面处晶格失配应力有关。采用透射电镜观察外延层中沉积物及其周围位错的结构表明 ,沉积物附近应力的存在是位错产生的主要原因