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近来我们对本厂生产的部分平面2CK管芯进行电参数测试,发现其中相当数量的管芯存在击穿电压蠕变特性,PN结的雪崩击穿电压可由原来的50伏增至53伏、55伏、58伏、60伏……,击穿数值漂移20％是极为普遍的,有的数值漂移可高达50％。发生蠕变后的管芯,在室温下存放一段时间后,某些管芯仍可恢复或部分恢复到原来的击穿数值。关于击穿电压蠕变的机理,国内外都有过报导,一般认为击穿蠕变是由于氧化层外表电荷或氧化层中的可动离子在表面电场作用下发生了重新分布,因而使表面势垒区宽度发生变化,表面处电场减弱,导致了击穿电压增大。当氧化层厚度较小,氧化层外表电荷密度较高时,这种正负电 相似文献
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我厂过去生产2CK的烧结工艺是以管芯的n型衬底与EA型管壳内部的杜美丝露头之间夹一层铅锡合金片,然后在低真空气氛中450～500℃,15分钟,烧焊而成。 我们对此烧焊条件下烧结成品率低的原因进行了分析,认为主要是由于烧结温度过高所至。为了寻求降低烧结温度的途径,我们考虑对硅片背面进行镀镍,来加以改善。 相似文献
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多年来,银浆低温烧结工艺由于具有操作方便,温度较低,以及对管芯正面电极不施加任何压力,减小了管芯的损坏几率等特点,在半导体器件生产中,得到了愈来愈广泛的应用.笔者针对如何使低温银浆烧结工艺在生产上发挥更大效益,经过工艺改进和检验,提出了新的可行的工艺操作方法.为了避免烧结温度对结特性的影响,应选用尽可能低的温度,这将受到银浆需在一定温度下还原的限制.考虑到各方面的因素,我们选用了一种新的银浆配比.氧化银90克氧化铋1.6克松香7.5克松节油25毫升蓖麻油6毫升 相似文献
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