前结背场一次形成铝背场硅太阳电池

硅太阳电池的背场工艺出现以来,电池的性能,特别是开路电压有了大幅度提高。由于背场工艺要增加几道工序,对于地面应用的低成本常规电池生产来讲,是很不经济的。为了降低电池成本,又要使电池具有良好的性能,人们对一次形成前结和背场工艺进行了研究,并获得了成功。本实验用铝作为背场杂质,对硅单晶锭尾部材料制作的廉价常规电池一次形成前结和背场工艺进行了研究,成功地获得了低成本高性能的太阳电池。     

硅太阳电池旁路电阻的简便测量

通过测量弱光范围硅太阳电池的V_(oc)和I_(sc)数值,可以方便地求得电池的旁路电阻R(sho)     

SOI横向二极管击穿特性分析

对硅片直接键合方法制作的 SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量 ,通过计算机模拟分析了击穿机理 ,从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面 ,提出了提高击穿电压的途径。     

锑乳胶源埋层扩散

本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,结深(?)5μm,表面浓度为2.1×10~(19)/cm~3.直径为75mm硅片,其薄层电阻的片内相对偏差<2.5%,同炉片间的相对偏差<3%,不同批之间的相对偏差<10%.     

多晶硅发射极晶体管的低频噪声特性

本文报导在2～2kHz的频率范围内测得的多晶硅发射极晶体管的低频噪声频谱,并论述低频噪声的产生机理。多晶硅发射极晶体管具有较常规晶体管优异的低频噪声特性而可望成为一种合适的低频低噪声器件。