基于聚噻吩的金属结晶核复合物薄膜制备及其电镀应用

采用化学氧化方法聚合聚噻吩(PT)的同时引入铜和银两种不同形貌的结晶核,形成3种复合物薄膜,分别为含铜的聚噻吩薄膜(Cu–PT)、含银的聚噻吩薄膜(Ag–PT)以及含铜和银的聚噻吩薄膜(Cu/Ag–PT)。这3种薄膜不仅导电性能优于PT,而且在相同电镀条件下对玻璃纤维环氧树脂FR-4的上铜速率均高于PT。表面电阻为0.88 kΩ的Cu–PT复合物薄膜的上铜速率最大,达到6.33 mm/min。     

多层挠性板动态柔曲部位阻抗模型仿真研究

随着5G通信的快速发展,传输信号频率提高,电子产品装配对挠性线路的体积要求逐渐严格,对挠性线路弯曲性能的要求也不断提高。多层挠性电路在挠曲过程中发生弹性塑性变形,从而造成阻抗变化。为探究挠性电路弯曲产生的阻抗变化因素及评价方式,文章采用有限元方法对多层挠性线路进行建模及多物理场耦合计算。力学方面,利用限制位移的方式探究了不同弯曲半径及铜厚条件下弯曲模型的应力分布、塑性形变分布。信号传输方面,采用时域反射法对力学部分计算的结果进行阻抗模拟。模拟结果表明,对于100μm铜线宽的五层挠性线路,在线厚小于150μm的情况下阻抗变化值低于1%。该模型为挠性电路的弯曲变形表现及阻抗变化提供了一种评价方式和制造指标控制参考     

电子封装中高散热铜/金刚石热沉材料的电镀技术研究

随着半导体封装载板集成度的提升,其持续增加的功率密度导致设备的散热问题日益严重。金刚石-铜复合材料因其具有高导热、低膨胀等优异性能,成为满足功率半导体、超算芯片等电子封装器件散热需求的重要候选材料。文章采用复合电镀法成功制备了铜/金刚石复合材料,考察了不同复合电镀的工艺方法、金刚石含量、粒径大小对复合材料微观结构、界面结合以及导热性能的影响。并通过优化复合电镀方式,金刚石添加量等工艺参数,制备了无空洞、界面结合紧密的高导热复合材料;仅添加8.8 vol%的金刚石,使复合材料的导热率从393 W/(m.K)增加到462 W/(m.K)。本技术可以应用于半导体封装领域,并进一步增强芯片的散热性能。     

兼容性Cu2+溶液改性EP基材催化铜导电线路沉积

印制电路板(PCB)基材预设位置活化是选择性化学镀铜法制作导电线路的关键工艺。以乙酸铜为催化剂前驱体、硫脲为络合剂、双酚A二缩水甘油醚为环氧树脂(EP)预聚物、试剂593为固化剂和丙二醇甲醚为溶剂,设计出一种基于EP兼容的Cu2+溶液,借助喷墨打印机把兼容性Cu2+溶液印刷在EP基材表面,采用选择性化学镀铜法加成制备了铜导电线路。基于量子化学密度泛函理论,模拟兼容性Cu2+溶液中硫脲分子与Cu2+之间的络合反应,利用红外光谱和拉曼光谱对兼容性Cu2+溶液中特殊官能团进行表征。结果表明:铜线路中晶粒结晶度良好且堆积致密,其电阻率低至2.62×10?6 Ω·cm;在改性层的帮助下,铜线路与EP基材之间的结合力达到5B级别。因此,EP基材兼容性改性催化铜导电线路沉积具有工艺简单、经济环保的优点,这对其他常用树脂基材兼容性改性加成制备PCB具有一定的参考价值。