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亚太地区的半导体工业已达到空前的发展速度。器件产量由1988年的15亿美元上升到1992年的47亿美元。韩国的集成电路工业在短短的七年里增长了五倍。台湾的半导体产值在该地区的份额比前四年增长了20％。而新加坡成功地吸引了世界级半导体公司前来投资和管理现代水平的DRAM工厂。Dataquest公司最近完成了亚太地区在半导体设备以及工厂方面投资状况的调查工作。1993年的资本投资在1992年下降后再次反弹。这是由于局部和全球因素的变化，其中最主要的原因是比美需求量的增加，个人计算机应用的刺激。但在亚太地区，巨大的日本市场未向该地区… 相似文献
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据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，三菱公司和日立公司已联合开发了一个3．3V单电源的DINOR（双或非）快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRAM电路技术。常规的NOR（或非）快速存储器使用CHE单元写入，这种结构用单电源供电是困难的。与非芯片的迭式存储单元减少了连接点，从而降低了随机存取性能。而双或非结构因结合了两种方法的优点，从而达到了消除瓶颈的目的。用3．3V单电源的双或非16M快速存储器，最主要的革新部分在于晶体管被做成单元，提供32个门单元，每64k字节为一组。芯片… 相似文献
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据《国际半导体》杂志1994年10月号报道，由于低介质常数材料能提供低的电容、短的RC延迟以及更高的器件速度、低干扰和低功耗，所以在半导体工业中作为金属层间介质，需要开发一种比目前的Sic。有更低介质常数的材料来替代。从理论上来讲，比较有效的是用低阻金属铝来替代，其性能上仅提高50％。但是，若将二氧化硅的介质常数由《左右降低到理想的1，就能使其性能提高到400％。选择新材料的困难就在于既要有低介质常数又能经受制造过程中各种工艺条件的考验，包括耐高温能力等。目前，绝大部分工作在开发有机聚合物，例如，尽管SIO。的… 相似文献
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据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造商在1998年每月的产量将超出500000片，并将采用0．25μm技术。例如，在最近的国际固体电路会议上发表的第二代日立一德克萨斯仪器公司64MbDR－AM，其芯片面积为143．87068mm2，存取时间为29ns。采用了0．25μm、叁阱、三层金属化布线，多晶硅化物栅，9nm栅氧化层的制作技术。在评述新出现的64MbDRAM技术时，ICE公司的技术专家们认为：… 相似文献
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随着集成电路设计规则正在向0．25μm缩小，提出了改进窄间隙填充、局部平坦化的工艺技术的要求。各种间隙填充淀积和深腐蚀（etchbcck）技术，当图形尺寸缩小到0．35μm左右时。使电路成本和／或族性能受到了影响。直至最近。旋转涂复的硅氧烷（SOG）在0．8μm器件设计规则下．在狭窄的金属间隔（≤0．4μm）中开始观察到空穴时也已经达到了间隙填充的极限。但是，现在已有新的SOG系列（AlliedsignalAccuglassT－14）使间隙填充工艺适用于0．25μm设计规则。一、间隙尺寸金属一互间距随每个设计规则而变化（表1）。间隙尺寸与CVD-1五… 相似文献
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