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退火时间对溶液法制备 Tips-Pentacene 电流传输特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10h后,低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。 相似文献
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利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。 相似文献
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