低能Ar+刻蚀时间对抛光单晶LiNbO3薄膜忆阻器的影响

调节低能Ar+刻蚀对单晶LiNbO3(LN)的刻蚀时间,制备了不同LN厚度的单晶薄膜忆阻器。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和电子顺磁共振(EPR)对器件的微观形貌与表面氧空位进行了表征。通过电流-电压曲线(IV曲线)、数据保持特性(Retention)和抗疲劳特性(Endurance)的测试,探究了刻蚀时长对器件电学行为的影响。结果表明,随刻蚀时间增加,器件表面光滑均匀,氧空位浓度增加,电形成电压显著降低。同时,尽管LN薄膜厚度减小后,器件的开关比(On/Off)略有降低,但其具有更好的数据保持特性。该方法适用于对由离子注入剥离法制备的单晶薄膜进行改性,以调控其阻变特性,使之可在高密度存储、神经形态计算等领域得到应用。     

Co2Z钡锶铁氧体材料的高频磁性能

采用固相法制备Sr2+部分取代Ba2+的Co2Z铁氧体材料(Ba1.5Sr1.5Co2Fe24O41),探究了预烧温度、烧结温度、烧结气氛等制备工艺对材料磁性能的影响,并用扫描电镜和XRD分析仪对材料的微观形貌和相成分进行了观察、测试。研究表明,当预烧温度为1250～1280℃时,起始磁导率随预烧温度的增高而降低,Q值(1GHz)随之增高。当烧结温度从1220℃升高到1280℃时,起始磁导率随之增高,Q值(1GHz)随之减小。当烧结气氛由空气改为氧气时,起始磁导率降低,Q值(1GHz)增高。1280℃下预烧2h、1240℃氧气气氛中烧结3h的材料磁性能较优,起始磁导率为4.2,品质因数Q值在1GHz时为11.3,截止频率高于1.8GHz。     

I.H.P.SAW谐振器孔径对性能的影响

该文研究了在超高性能声表面波(I.H.P. SAW)衬底上,孔径总长对叉指末端具有能够抑制横向模态的小锤结构的谐振器性能。在衬底结构为Y 42°-钽酸锂(Y42°-LT)/SiO₂/多晶硅(Poly-Si)/Si上,通过建立对应的有限元三维仿真模型,初步得出在小锤结构下孔径总长的增大能够抑制横向模态杂散的结论。绘制了周期T为1.44μm、2μm、2.56μm下,孔径总长为7.5T、10T、15T、20T、25T、32.5T、40T的单端口谐振器版图并进行流片。通过实测结果表明,在不同周期下,随着孔径总长的不断增加,对谐振器横向模态的抑制会不断增强,机电耦合系数也不断增加,在孔径总长约为20T时阻抗比最高。仿真和实测结果体现了孔径总长对I.H.P. SAW谐振器的性能影响较大,为应用于I.H.P. SAW滤波器中的高性能谐振器提供了设计指导。     

单端口声表面波谐振器在片去嵌方法分析

为了准确地设计声表滤波器,需要从参考声表面波(SAW)谐振器的测量值中提取精确的材料参数。测量SAW谐振器时,单个谐振器无法直接进行测试,需要引出传输线并使用GSG或GS探针进行测量,消除传输线影响的去嵌入过程对于SAW谐振器材料参数的准确提取非常重要。该文介绍了几种声表面波谐振器的去嵌入技术,包括Open-Short算法、电磁仿真方法、分段等效电路模型方法、集总参数等效电路法。通过实例验证了几种常用的去嵌方法并对其进行了分析。     

不同波形电压刺激下单晶LiNbO3薄膜忆阻器的电阻可塑性研究

随着人工智能在物联网中的应用，对于传感器端的高性能神经网络边缘计算需求日益迫切。忆阻器被认为是传感器端神经网络边缘计算应用中最具潜力的核心器件。由于传感器的输出信号具有不同的电压波形，故设计了不同的脉冲方案模拟不同的传感信号，基于单晶LiNbO₃薄膜忆阻器，研究了不同波形的电压刺激(方波、正弦波、三角波)对电阻可塑性的变化范围、线性度等的影响规律。在保持电压幅值和积分面积相同的情况下，研究了在三种不同波形电压刺激下的增强和抑制过程。在增强过程中，方波刺激下的电导变化幅度最大，在幅值为6 V的电压刺激下可达72 nS,正弦波次之，三角波最小(在幅值为6 V的电压刺激下仅为42 nS);而三角波刺激下的线性度最高，正弦波次之，方波的最低。测试分析可知这些差异主要是由三种波形超过特定阈值的积分面积不同所引起的。而在抑制过程中均观察到了电导突变现象，研究中通过幅值渐变的脉冲序列对电导突变进行了抑制。