“限束”边发光二极管

由于光纤通信的迅猛发展,在七十年代出现了许多不同结构形式的发光二极管,以实现各类传输系统对光源的高效率、长寿命与好的频响特性的要求.1975年由RCA实验室研制成功的"限束"边发光二极管就是其中之一.这种结构把发光区集中在边部,克服了有源区严重的自吸收,提高了功率效率.因为工作区的三面与半导体材料相毗连,散热较好,所以LED的光输出对温度相当不敏感.同时这种结构制造简单,特别是与需在N面腐蚀出光孔的面发光二极管相比尤为简单.我们研究了这种"限束"结构的发光器件并且作了适当的改进.首先把电极条宽的尺寸从100微米缩小为50微米,以求与芯径为50微米和数值孔径为0.2     

非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管的几何结构及性能

本文阐述了条形几何结构对非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管性能的影响,计算了五层非对称波导边发光管的输出功率和光抽取效率及它们与结构参数之间的关系,还计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通过合理的选择,在100mA的注入电流下获得了性能良好的发光二极管,其标准尾纤的输出功率≥60μW(最高达 220 μW),3 dB的截止频率fc≥60 MHz(最高 100 MHz).是三次群光通信和其他快速模拟传输系统较为理想的光源器件.     

InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成

本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).     

LOW TEMPERATURE OPEN TUBE Zn DIFFUSION IN InP/InGaAs(P)

To fabricate quasi-planar optoelectronic integrated circuits(OEICs),a new open tube Zndiffusion method has been developed.The characteristics of Zn diffusion in InP/InGaAs(P)heterostrueturematerials at comparatively low temperature have been studied,and it has been found for the first time that Zndiffusion rate is proportional to the square of phosphorus content of the InGaAsP materials.     

胺型萃取剂N-208萃取铼和钼

按照胺型萃取剂萃取阴离子的选择性的一般規律,对于一价強酸的阴离子,其选择性大致随离子半径增大而增加。高鍊酸是強酸,高鍊酸离子的半径又較大,因此可以估計胺型萃取剂对高铼酸离子可能具有良好的选择萃取性能。凱塔斯(Kertes)等曾用三异辛胺自硝酸溶     

GaAs/(GaAl)As激光器的沟道衬底低温液相外延

本文对光纤通信的单模激光器及集成光路的沟道衬底低温液相外延进行了研究。确定了760℃下的平衡液相和固相组分;测得Ge在(GaAl)As中的有效分配系数及其温度关系。研究了衬底沟道的腐蚀条件,发现外延生长与起始温度及过冷度有关。     

InP中的Be、P共注入及其退火特性研究

本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论.     

QUASI-PLANAR INTEGRATION OF AN InGaAsP/InP DOUBLE COLLECTION REGION HBT AND AN EDGE-EMITTING LED WITH Mn DOPED ACTIVE LAYER

A monolithically integrated lnGaAsP/lnP device including an HBT and an E-LED wasfabricated with quasi-planar structure using Mn doped active laver and selective Zn diffusion as well aspolyimide protection.300 ps rise time of the HBT was achieved together with BV_(ceo) larger than 8V and theoffset voltage smaller than 30 mV.     

单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制

本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.     

集成光学:元件集成

用高容量的光波系统经济有效地传输信息,目前已在多方面应用.将来,光波系统也可以通过直接光学处理来转换信息和完成其他功能,因此光编码的信息能够直接传输到终端而不需要中间转换成电的形式. 能实现这种功能的回路称为“集成”光路或光子回路.这类回路中还能够加进用制造光波元件的材料制