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由于光纤通信的迅猛发展,在七十年代出现了许多不同结构形式的发光二极管,以实现各类传输系统对光源的高效率、长寿命与好的频响特性的要求.1975年由RCA实验室研制成功的"限束"边发光二极管就是其中之一.这种结构把发光区集中在边部,克服了有源区严重的自吸收,提高了功率效率.因为工作区的三面与半导体材料相毗连,散热较好,所以LED的光输出对温度相当不敏感.同时这种结构制造简单,特别是与需在N面腐蚀出光孔的面发光二极管相比尤为简单.我们研究了这种"限束"结构的发光器件并且作了适当的改进.首先把电极条宽的尺寸从100微米缩小为50微米,以求与芯径为50微米和数值孔径为0.2 相似文献
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本文阐述了条形几何结构对非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管性能的影响,计算了五层非对称波导边发光管的输出功率和光抽取效率及它们与结构参数之间的关系,还计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通过合理的选择,在100mA的注入电流下获得了性能良好的发光二极管,其标准尾纤的输出功率≥60μW(最高达 220 μW),3 dB的截止频率fc≥60 MHz(最高 100 MHz).是三次群光通信和其他快速模拟传输系统较为理想的光源器件. 相似文献
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To fabricate quasi-planar optoelectronic integrated circuits(OEICs),a new open tube Zndiffusion method has been developed.The characteristics of Zn diffusion in InP/InGaAs(P)heterostrueturematerials at comparatively low temperature have been studied,and it has been found for the first time that Zndiffusion rate is proportional to the square of phosphorus content of the InGaAsP materials. 相似文献
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按照胺型萃取剂萃取阴离子的选择性的一般規律,对于一价強酸的阴离子,其选择性大致随离子半径增大而增加。高鍊酸是強酸,高鍊酸离子的半径又較大,因此可以估計胺型萃取剂对高铼酸离子可能具有良好的选择萃取性能。凱塔斯(Kertes)等曾用三异辛胺自硝酸溶 相似文献
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本文对光纤通信的单模激光器及集成光路的沟道衬底低温液相外延进行了研究。确定了760℃下的平衡液相和固相组分;测得Ge在(GaAl)As中的有效分配系数及其温度关系。研究了衬底沟道的腐蚀条件,发现外延生长与起始温度及过冷度有关。 相似文献
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A monolithically integrated lnGaAsP/lnP device including an HBT and an E-LED wasfabricated with quasi-planar structure using Mn doped active laver and selective Zn diffusion as well aspolyimide protection.300 ps rise time of the HBT was achieved together with BV_(ceo) larger than 8V and theoffset voltage smaller than 30 mV. 相似文献
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