硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索

首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索.测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性.通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论.分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散.     

基于层次分析法的企业安全投入方向分析

阐述了企业安全投入的基本涵义及组成，并应用层次分析法基本原理构建了企业安全投入方向AHP（层次分析法）模型，确定了企业安全投入方向指标体系，通过各指标权重和重要性排序的确定，找出了企业安全投入方向要素中的关键性因素，并优先将其作为安全投资方向，为企业的安全投资的科学化决策提出提供了参考依据。     

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。