基于FPGA和无线通信的炮口冲击波测试系统设计与实现

由于炮口冲击波超压测试现场环境比较恶劣,为了提高存储测试系统的可靠性和灵活性,给出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和无线通信的炮口冲击波测试系统的设计与实施方案。测试系统的激波管动态校准结果表明,系统符合国军标对炮口冲击波超压测试的基本要求。该系统在多次靶场实爆试验中进行了测试试验,都成功捕获到炮口冲击波超压曲线。试验结果表明所设计的炮口冲击波测试系统具有体积小,微功耗,灵活性高,测试效率高等优点,在炮口冲击波测试中具有良好的应用前景。     

溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究

以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升.     

冲击波测压装置激波绕流数值模拟

为研究目前常用的楔形、圆盘形两种冲击波测压装置对所测冲击波的影响,运用仿真软件Fluent,建立测压装置外流场的二维有限元模型,模拟稳态平面流场中不同压强下两种测压装置表面及其附近流场区域的压强变化规律。壁面压力测试结果表明:两种测压装置的传感器安装方式都应选择装置的上表面,楔形测压装置比圆盘形测压装置对所测激波的影响小。     

毁伤威力场冲击波无线分布式测试方法研究

毁伤威力场中冲击波超压测试是评估武器或炸药毁伤威力的一个重要手段,在军工国防领域具有重要作用。针对传统引线法与存储法这两种测试方法的优缺点,分析了冲击波的信号特点及国军标的相关测试要求,提出一种结合无线传感网络( WSN)技术和FPGA逻辑控制技术的冲击波无线分布式测试方法。系统经过激波管动态校准及多次靶场实弹试验,验证了系统具有布设简单、触发策略灵活、无线同步触发性能良好及数据准确度高等优点,特别适合适用于毁伤威力场中复杂恶劣环境下多测点冲击波测试任务。     

基于LabVIEW的双通道信号发生器的设计与改进

以虚拟仪器技术为核心,借助于计算机资源并结合声卡等硬件,采用LabVIEW软件开发平台设计了一款基于声卡的双通道信号发生器。双通道信号发生器通过声卡的D/A通道输出波形信号,可以产生正弦波、方波、三角波、锯齿波和任意波形。具有参数设置、功能选择、信号输出时域波形监测等功能。该信号发生器具有功能强大、界面友好、使用更为方便等优点,而且改进后的虚拟信号发生器大大节约了科研经费,具有良好的应用前景。     

炮口冲击波超压无线存储测试系统设计

为了评估炮口冲击波对相关操作人员及设备造成的损伤和破坏程度,将存储测试技术应用到炮口冲击波测试中,并结合无线传输技术,使得测试主控制台可以在一定距离外进行有效监控。通过对测试系统进行的激波管动态校准,符合国军标对炮口冲击波超压测试的基本要求。测试装置在无线触发状态和多次重触发状态进行了测试试验,均成功获取到炮口冲击波超压曲线。试验结果表明所设计的炮口冲击波无线存储测试系统能有效工作,同时具有操作简单等优点,具有良好的应用前景。     

温压炸药爆温无线存储测试系统设计

温压炸药爆轰时间长、爆炸温度高且伴随爆炸破坏作用,使其爆炸温度测试较困难。为有效评估温压弹药的热毁伤效应,将存储测试技术应用到爆炸瞬态高温测试中,并结合无线传感网络技术,在确保参试人员的安全前提下,可在500 m外远程监控测试仪器状态进行智能化测试。系统采用E12型热电偶,响应时间短,最大测温为2 300℃,并对其进行可溯源性动态校准,确保测试精度。测试装置成功应用于小当量温压弹药的实爆现场测试,试验结果表明所设计的系统操作简单、使用安全,具有良好的应用前景。     

溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件电气性能的影响研究

本论文以硅作为衬底,以采用不同直流（DC）磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管（TFTs）器件。在溅射功率从80W变化到160W的过程中,我们对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究。当溅射功率为80W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,使得器件显示出优秀的电气性能。例如：0.156V/dec的亚阈值摆幅（SS）、-3.596V的开启电压（VON）、-1.872V的阈值电压（VTH）和高达7.773×108的电流开关比（ION/IOFF)。与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性。由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升。