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超薄SiO2膜经快速热处理后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容,h-NMOSFET中介栅介质层及FLOTOX-E^2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可以看出具有实有价值。 相似文献
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快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。 相似文献
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关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了采用NO快速热氮SiO2 方法制备超薄栅介质并初步制备出约5nm超薄栅的MOS电容和约6nm超薄 NMOSFET,NO氮化改善了超薄SiO2膜的性能。 相似文献
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本文讨论了理想情况下FLOTOX结构E^2PROM在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化,并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处FLOTOX结构E^2PROM的寿命。 相似文献
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制备出6~7nm超薄栅NMOSFET。通过对器件性能的研究发现,适当条件下N2O制备的超薄SiOxNy膜比SiO2膜更适合ULSI的应用。 相似文献
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在超薄栅介质膜的制备技术中,膜生成前,用稀HF酸进行表面处理,能使生成的超薄膜均匀性、完整性提高,从而使膜的击穿、漏电得到改善。 相似文献
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