反应釜搅拌装置优化改造

在化工与冶金等领域生产中,反应釜是生产中的一个重要设备组成之一,反应釜的工作稳定,直接关系到整个生产线的安全性和效率性。目前,反应釜的搅拌装置,在工作使用过程中存在一定问题,需要针对性的提出问题进行处理。本文主要对反应釜运行过程中的问题展开分析,围绕现有问题提出了一种反应釜搅拌装置的优化改造措施,涵盖了金属提取和溶液净化技术领域。这一措施有望在工业应用中取得显著效益。     

耗尽型选择性掺杂异质结晶体管

设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm2/vs,二维薄层电子浓度ns=91011cm2。在77K时n=75000cm2/vs。测量了具有栅长1.21.5m,栅宽2180m耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下gm=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。     

亚微米GaAs MESFET二维数值模拟

本文用计入热电子效应的动量能量守恒模型讨论了亚微米GaAs MESFET二维数值模拟。为了减少计算量进行了模型简化和算法选择。文中给出并分析了三种典型器件的模用范果,根据模拟结果,研究了小尺寸器件中的速度过冲效应并得出常规的漂移扩散模型的适拟结围。     

TWO-DIMENSION NUMERICAL SIMULATION OF SUBMICRON-SCALE GaAs MESFET

This paper deals with 2-D simulation of GaAs MESFET,which includes velocityovershoot effects by using energy transport model suitable for submicron devices.Computationtime is greatly reduced by simplifying the model and using fast convergence algorithms,e.g.Gummel interaction and ICCG method.The program shows good stability and convergence.Several types of GaAs MESFET structures,e.g.epitaxial,ion-implanted and buried P-layer,have been simulated.The results show that buried P-layer can decrease carrier's injections intosubstrate and improve device performance.The results are also used to study carefully thevelocity overshoot effects.By comparison of results of energy transport model and drift-diffusionmodel,the limitation of drift-diffusion-model is derived.