背脊波导双环铁氧体移相器的阻抗匹配

本文研究背脊波导双环锁式铁氧体移相器的阻抗匹配技术,给出了计算阻抗匹配的转移矩阵。实验证明,它对工程设计具有较好的参考价值。     

基于SiGe BiCMOS 工艺的X 和Ka 波段T / R 多功能芯片设计

提出了应用0. 13 μm SiGe BiCMOS 工艺设计的全集成X 和Ka 波段T/ R 多功能芯片。包括5 位数控 移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小 信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功 率大等优点。其中X 波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 dB、22 dB,发射输出P(-1dB) 达到28 dBm;Ka 波段收发 芯片接收、发射增益分别达到17 dB、14 dB,发射输出P(-1 dB)达到20. 5 dBm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片 指标均达到国际先进水平,为X 和Ka 波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。     

中级财务会计教学中多元教学模式选择探讨

中级财务会计教学在知识、能力、素质等目标相应有自身的要求。根据支架式教学法、任务驱动教学法、案例教学法的特点,针对中级财务会计教学的不同目标层次,阐述了在中级财务会计教学中如何综合运用不同教学模式,以提高应用型本科院校中级财务会计的教学效果。     

0.34 THz高速无线通信发射机芯片设计

基于0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一个应用于0.34 THz高速通信系统的4路集成相控阵发射机芯片。该芯片集成了21.25 GHz的锁相环(PLL)频率源、4倍频器、4路威尔金森(Wilkinson)功分网络,每一路相控阵通道包括85 GHz功率放大器、模拟移相器、20 Gbps二进制启闭键控(OOK)调制器、4倍频器以及2×2片载天线阵列。针对系统各个模块进行了测试和分析,并且对系统方向图进行了仿真。仿真结果表明,该相控阵系统能在E面实现±12°的角度扫描,3 d B波束宽度为11.9°,系统有效等向辐射功率(EIRP)为12 d Bm。该集成相控阵发射机芯片的面积为8 mm×4.3 mm。     

一种高速高宽带主从式采样保持电路

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一种新型高速高宽带主从式采样保持电路．该电路采用PMOS源极跟随器作输入级实现了直流耦合,使得低频、低偏置电压信号也可以被正常采样．采用Cherry-Hooper放大器将带宽提升至18GHz．通过主从式采样结构和交叉耦合电容消除了信号馈通,使用互补三极管抵消了时钟馈通的影响,将无杂散动态范围控制在33～38dB．对比结果表明,这种设计方案在带宽方面具有较大的优势,并且具有较高的采样率．     

150 GHz低损耗Lange耦合器的设计

采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150 GHz的低损耗Lange耦合器。使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50 Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插入损耗,在耦合器对应的地面打孔形成地面隔离带,有效降低了插入损耗。仿真结果表明,耦合器在中心频率150 GHz处,带宽20 GHz范围内的耦合度为3.5 dB,插入损耗小于0.6 dB,回波损耗与隔离度均小于-20 dB,相位误差在2°之内,耦合输出与直通输出幅值误差在0.1 dB以下。该Lange耦合器在D波段功率放大器、混频器、移相器等电路中有很好的应用前景。     

基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20 GHz@139 GHz,20 GHz@168 GHz和26 GHz@324 GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6 dB@139 GHz,-5.5 dB@168 GHz和-5 dB@324 GHz。     

学生成绩的评价原则

对学生成绩的准确把握,对于教育者和受教育者来说都有非常重要的意义.探讨了评价学生学业成绩时应该了解和遵循的原则.     

10 Gb/s 带有直流漂移校正的dB线性、无电感宽带可变增益放大器

本文介绍了一款带有直流漂移校正的dB线性、无电感宽带可变增益放大器。该可变增益放大器包含一个可变增益模块,一个带有共模电压调整的直流漂移校正模块,以及一个带宽拓展模块。为了放大器带宽同时节约芯片面积,本设计中带宽拓展模块采用了一种无电感设计的有源反馈技术,通过该模块在高频增益过冲来补偿可变增益模块和直流漂移校正模块在高频处的增益下降,从而达到拓展带宽、提高增益的效果。该可变增益放大器采用0.13mm SiGe BiCMOS工艺。测试结果表明,该款放大器3 dB带宽达到7.5 GHz,可变增益范围为40 dB (-10 dB-30 dB)。在10 Gb/s伪随机测试码输入的情况下,测试输出信号峰峰抖动小于30 ps_pp,功耗为50 mW。由于无电感设计,该芯片的面积仅为0.53*0.27 mm₂。     

应用型本科院校会计专业课程设置探讨

阐述应用型本科院校会计专业的课程设置的指导思想及原则,构建了相应的课程体系.