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铸造工艺参数和细化剂对K4169高温合金铸态组织的影响Ⅰ.晶粒组织及晶粒细化机理 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了K4169高温合金在各种工艺条件下及向熔体中加入复合细化剂时的晶粒组织。结果表明,降低浇注温度和加入复合细化剂可以明显细化冷凝后基体的晶粒和提高铸件断面等轴晶的比例。在通常的浇注温度1400℃下加入复合细化剂。对合金熔体进行或不进行过热处理时,可使圆柱锭的晶粒分别细化至ASTM1.7级和ASTM3.2级;断面等轴晶的比例分别达96%和99%以上。当浇注温度为1420℃、加入复合细化剂并对合金熔体进行过热处理时。可使圆柱锭晶粒细化至ASTM M10.5级,断面等轴晶的比例达90%以上。提出了晶粒细化的机理并对晶粒细化后断面等轴晶比例增大的现象进行了分析。 相似文献
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This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors.Compared with pure HfO2,the doped HfO2 with an optimum concentration of Gd2O3 as MOS gate dielectric exhibited a lower leakage current,thinner effective oxide thickness and less fixed oxide charges density.The result indicated that Gd2O3 doping power of 60 W exhibited the best electrical characteristics,maximum capacitance,lowest leakage current of 9.35079... 相似文献
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(1)本研究工作针对K4169高温合金的结构和物性特点,筛选并制备了适合K4169高温合金的二元和三元金属间化合物型细化剂。微量细化剂的加入不形成夹杂,不改变合金的相组成。(2)在通常的浇注温度1400℃下,对合金熔体进行和不进行均匀化处理的前提下,加入复合细化剂可使圆柱锭的晶粒分别细化至ASTM 1.7级和ASTM 3.2级;断面等轴晶的比例分别达96%和99%以上。当浇注温度为1420℃并对合金熔体进行了均匀化处理时,加入复合细化剂可使晶粒细化至ASTM M10.5级,断面等轴晶的比例达9%以上。成功利用化学法浇注获得细晶叶片样件,该叶片组织比较均匀、成型性好且无铸造缺陷。发现晶粒细化后,细晶试样中的元素枝晶偏析得以减轻,这有利于提高铸件的机械性能;另外,晶粒的形态也改变了,由普通铸造组织中的几乎全部是树枝晶向细晶组织中的粒状晶转变。(3)提出了细晶枝晶粒状化是由球形界面失稳与否、失稳的程度以及晶粒生长的外部环境决定的。建立了失稳判据,指出现有球形界面失稳理论还应考虑元素枝晶偏析、粗化作用以及对流等的影响,比较合理地解释了晶粒细化后变为球状的原因。 相似文献
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铸造工艺参数和细化剂对K4169高温合金铸态组织的影响Ⅱ.枝晶组织及晶粒球化机理 总被引:1,自引:0,他引:1
铸造工艺参数和细化剂对K4169合金枝晶组织,元素偏析、夹杂及缩松有明显的影响。浇注温度越低,一次枝晶主轴长度和二次枝晶臂距就越小。在同一浇注温度下,化学法细晶试样的一次枝晶主轴长度较普通铸试样的短.但二者的二次枝晶臂距没有明显差别。晶粒细化后,合金中主要元素Fe,Cr,Nb,Mo和Ti的偏析减轻,晶粒的形态由树枝晶向细晶组织中的粒状晶转变。对晶粒球化现象做了合理解释。微量细化剂的加入不会在铸件中形成夹杂。不会改变合金的相组成。在高的浇注温度下,细化剂使晶粒细化的同时,也使铸件中的缩松大大减少。 相似文献
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采用R.F反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明,随着衬底温度的增加,SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变,表面粗糙度减弱,薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析,时不同衬底温度下Sn3d5/2拟合发现,薄膜表面存在Sn^2+和Sn^4+两种混合价态。随着村底温度的增加,Sn3d5/2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现,薄膜表面的氧以晶格氧(略)和化学吸附氧(Oahs^-)两种方式存在。实验证明,Oabs^-含量与SnO2表面电阻成正比关系。 相似文献