Al_2O_3对CaO-R_2O-SiO_2/ZrO_2基LTCC材料结构性能的影响

采用高温熔融法在1 350℃制备了CaO-R2O-SiO2玻璃粉料,系统研究了Al2O3的添加量对CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料结构与性能的影响规律。研究结果表明,适量添加Al2O3可促进主晶相生长,提高材料结构稳定性,使其具有良好的力学电学性能。当Al2O3添加质量分数达7.5%时,850℃下可制得抗弯强度为183 MPa、相对介电常数为7.19、介电损耗为0.22%、电阻率5×1 013?·cm的CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料。     

气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用

采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显著提高,所研制pMUTs在光声成像演示中探测到了较强的光声信号;当将PI/Cr薄膜应用于AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)中时,HEMTs的击穿电压由156 V提高到248 V,HEMTs器件的耐压能力显著改善。     

PECVD法制备SiO2薄膜的热应力影响研究

研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的应力与测量温度以及热处理温度的关系。借助FLX-2320-S应力仪测量计算了SiO2薄膜的应力,通过改变薄膜热处理时的温度以及测量时的温度,分析了这些参数对SiO2薄膜应力的影响。同时讨论了应力产生的原因以及随温度条件变化的机理,对热处理条件的选择有一定的参考意义。