彩电国产化中的半导体分立器件

自进入八十年代以来,我国的半导体分立器件的科研和生产有了很大的发展.“六五”期间,国家共投资八亿元,改造了半导体分立器件生产线共135条,若全部达到设计能力以后,到1990年我国为半导体分立器件预计可达到40亿只的生产能力.     

带有一个高反射系数镜面的高效短腔InGaAsP激光器

采用仅在一个端面上具有金属镜面的短腔InGaAsP注入激光器,已从实验上获得了:高微分量子效率(70％)、高输出功率(5mW)和在高调制速率(1Gbit/s)下稳定的单频输出。