S波段PHEMT单片阻性混频器

南京电子器件研究所最近研制出一种低中频的S波段单片PHEMT混频器,具有电路结构简单、三阶交调优越、噪声性能良好等优点,另外混频器要求的本振功率极低,并且基本无直流功耗。GaAs三端器件作为混频元件,其混频方式一般分为有源混频模式与阻性混频模式两种。本研究采用阻性混频方式,其特点是器件的源漏电压为零,电路仅需要提供一个接近夹断的负栅压,本振信号从概极注入,射频信号从漏极注入,中频信号从漏极经滤波电路输出。这种结构最大优点是:（1）低的1／f噪声,对于低中频的混频器,这种结构噪声性能较好;（2）优越的交调特性,当信号功率…     

Ka波段HEMT噪声系数测试

介绍了Ka波段HEMT及其单片低噪声放大器的测试方法，着重分析了低频振荡原因和抑制方法，探讨了毫米波电路测试的特点，最后给出了测试结果。     

Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行ＭＭＩＣ精确设计的有效途径，着重分析了在软件中如何建立三类ＭＭＩＣ用元件（有源器件、无源元件及由ＭＭＩＣ工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法，借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ｋｕ波段两级ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与ＣＡＤ设计值十分相近的实验结     

S波段PHEMT单片低噪声放大器

采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 ,成功地应用于单片接收机前端中     

Ka频段低噪声HEMT放大器

Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ...     

S波段接收前端用单片混频器的CAD

报道了Ｓ波段接收前端用单片混频器的设计方法，运用ＬＩＢＲＡ软件对混频器进行谐波平衡分析与优化，结果表明该软件是进行非线性电路设计很有效的工具。     

浅议矿井筹建单位费用归集和成本核算

对矿井筹建过程中,经常发生的主要费用以及固定资产特别是跨年度施工的土建和矿建工程的成本归集进行分析说明,对项目竣工验收时审计机构的审定进行分析。对筹建单位具有很好的借鉴作用。     

Ka频段低噪声放大器的设计

介绍了Ka频段低噪声放大器的设计方法，采用HP－EESOF公司Libra软件对有源器件进行直流分析与参数提取，并运用小信号线性分析法进行电路模拟与设计。研制的放大器在34－36GHz频率下噪声系数小于3dB。     

Ka波段PHEMT功率放大器

报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 d B。