微电火花加工中探针与工件中铁元素作用机理研究

以加工工件中铁原子为基组构成基本模型,通过理论计算和模拟研究了铁元素在分别外加面电极和体电极情况下,整个系统的电子传输过程与电子态密度的分布.结果显示在外加体电极时,相比于加面电极时的情况,其电子穿过体系的概率更大,有利于整个系统的电子传输,对电火花加工更有利.另外还得出了两个传输系统的能级和能隙,能量对比显示,在外加体电极时,分子失去电子的能力比加面电极强,且更加容易发生跃迁,整个体系的加工性更好.考虑实际加工过程,对电极和工件间距离变化时系统的电子传输和态密度的变化进行了研究,结果显示,钨面电极在距离为0.48 nm时,电火花加工处于截止状态,而钨体电极则是在距离为0.58 nm时,电火花加工截止.     

自动借贷款机人机界面的设计与实现

本文给出了在日本银行系统中一种新的计算机应用技术，介绍了在Ｗｉｎｄｏｗｓ９５环境下，以多媒体技术设计完成了无人值守自动借贷款机人机界面。     

C20富勒烯分子及C±20富勒烯离子特性分析与比较

以C1对称C20富勒烯分子为模型,在Gussion03上做了结构优化、频率计算以及自然键轨道理论(NBO)计算,并在同样的方法和基组下分别对C20分子得失一个电子的情况做了计算,并进行了分析和比较.结果表明:C1对称C20富勒烯分子不稳定,易于得失电子而以离子形式存在.C20,C+20,C-20三者的能量关系为:EC2...     

封闭型(6,0)单壁碳纳米管电子传输特性研究

采用广义梯度近似(Generalized gradient approximation,GGA)密度泛函理论与非平衡态格林函数(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)相结合的方法对两端封闭型单壁(6,0)碳纳米管进行电子传输的理论研究。在温度为300K的条件下,对不同长度(6,0)单壁碳纳米管(SWNT)进行电子透射概率计算。结果显示,两端封闭型(6,0)碳纳米管的电子传输属于量子化传输模式,并随着碳纳米管长度的增加,某些电子透射概率峰值所对应的能量值并未有大的变化,且呈现线性分布;两端封闭型单壁(6,0)碳纳米管中电子的传输接近无散射弹道传输模式,该系统概率尖峰能量的平均间距约为n×2.2eV,n为整数且1≤n≤6。     

基于虚拟仪器的微型扑翼风洞实验系统研究

为了解决微型扑翼气动特性实验所面临的控制和测量参数多、气动力/力矩量值小、实时性强、耦合性高的困难,研制了基于虚拟仪器(Ⅵ)的微型扑翼飞行器风洞实验系统.该系统以西北某大学现有微型风洞为基础,采用高精度六分力天平、角度传感器、新型机翼扑动机构、可编程电源及工控机等设备,利用基于虚拟仪器(Ⅵ)的LabView软件对上述硬件设备进行集中控制及数据处理,可准确获得随时间变化的扑翼气动力,力矩、扑动角度,角速度、扑动输入,输出功率等数据.     

可视化的电偶极子辐射模型

给出了在ＷＩＮＤＯＷＳ９５环境下经典电动力学中电偶极子在不同时刻的辐射波形图，在最新人机界面上实现了电偶极子辐射模型的可视化。     

富勒烯C74分子的电子传导特性

采用密度泛函理论和非平衡Green函数的Tight-Binding方法,对C74富勒烯分子及其连接Au电极构成的C74分子器件的电子结构和电子传导特性进行了理论研究.得出了电子通过C74分子器件的传输谱、态密度及C74分子的分子轨道能级,结果显示C74分子的传输谱和态密度有明显的对应性,且电子的传导概率随电子的入射能量...     

C_3分子线在激光场中的含时密度泛函理论研究

运用将含时密度泛函理论(TDDFT)和分子动力学相结合的方法,研究了C3分子线的光吸收谱以及它在强激光场中的电子和离子响应。计算结果表明,C3分子线光吸收谱可以分为两个区域,其中既包含独立的峰,又包含连续分布的峰。对C3分子线在激光场中的研究表明,在激光强度、极化方向及脉冲长度相同的情况下,当激光频率远低于共振频率时,分子的电离发生较晚而且电离较弱,分子沿激光极化方向的偶极矩与激光脉冲波包很相近,分子激发处于线性响应区;当激光频率处于共振频率范围时,C3分子线的电离增强,而且偶极矩的激发与激光脉冲波包完全不同,与分子的电离密切相关。     

缺陷富勒烯C_20分子器件的电子输运研究

运用基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的非平衡格林函数(NEGF)方法,对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究。通过计算得出了模拟的电子透射谱线。通过比较不同缺陷的分子的传导特性,获得了C20的电子输运特点。通过比较发现,几乎所有情况下缺陷器件的传输概率在电子能量大于0.52eV时都大约是10-10,几乎没有电子透过,所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关;而器件中原子的缺失并没有造成电子传输路径的中断,在大多数情况下,在原子缺失处反而产生更多的传输路径,通路的增多使得器件传输能力得到提高。