垂直磁记录介质钴铬膜的磁性

<正> 近年来,对垂直磁记录介质及其记录特性的研究得到非常广泛地开展。由于它具有很强的垂直膜面的磁单轴各向异性,和近于零的相邻位的互退磁效应,因而信息记录密度可获得高达10~8位/吋~2的潜在可能。     

复合镀膜磁介质研究是磁记录的重要前沿方向

近年国外磁记录密度有惊人发展。IBM[1]和日立[2]先后分别超过1和2Gbpi2，都远超过光盘密度[3]。在多种技术改进中最基本的是磁介质。IBM用Cr＼CoCrPt＼C，日立用Cr＼CoCrPtsi＼CoCrPt＼C，都是复合镀膜磁介质。本文主要从复合镀膜介质微、磁结构和复合镀膜磁介质新材料这两个重要前沿研究方面来说明它们是复合镀膜磁介质研究的，也是磁记录的当前两个极重要的前沿方向     

钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构

用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制备了钴铬垂直磁化薄膜。1)用VSM及X射线薄膜磁化强度取向摆动曲线的Δθ50等方法做了磁性等测量,结果表明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜;2)对Co-Cr垂直磁化薄膜的成分分布及微观形貌用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和纳米束斑的能谱分析等研究。其中成分分布结果表明晶界处钴的集聚偏多,而非国际上流行的铬偏多;3)用STM作了晶粒形貌及表面起伏曲线,用AFM、MFM(磁力显微镜)分别做了同一区域晶粒形貌和相应磁畴结构的比较,实验都获得了很好的结果。钴铬固溶体薄膜是典…