TFT矩阵动态检测系统

本文介绍了基于电荷测量原理的ＴＦＴ矩阵自动检测系统，该系统可以对ＴＦＴ矩阵进行多参数的检测，并可用来统计矩阵的成品率及分析ＴＦＴ的动态特性。     

玻璃/ITO/pin a-Si电池研究

本文对玻璃/ITO/pin a-Si太阳电池进行了分析,研究了辉光放电等离子体对ITO的轰击作用,并讨论了制备工艺对电池特性的影响。实验发现,ITO/p~+ a-Si接触特性除上述作用的影响外,环境沾污也有重要影响。     

Al:Ti合金栅a-Si TFT研究

本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率．     

非晶硅p-i-n太阳电池

本文报道了p-i-n太阳电池的研制结果。以不锈钢为衬底材料,研制了9mm~2、1.3cm~2、2.5cm~2、9cm~2及25cm~2五种不同面积的电池。在不加减反射膜的情况下,各单项指标的最佳值分别是:V_(oc)=770mV,j_(sc)=8.7mA/cm~2,FF=0.42,η=2.7％。     

p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析

本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.     

a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究

用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。     

Ni/a-Si肖特基势垒太阳电池

在非晶硅电池的三种基本形式中,M/a-Si肖特基势垒结构发展得最早,曾一度领先,但由于它的开路电压受所用金属功函数的限制,加之存在稳定性问题,因而缺乏足够的竞争力。针对这些问题,已经开展了广泛的研究。 我们发现,不稳定性主要来自M/a-Si肖特基结的退化,而这种退化过程不仅受外界环     

多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟

建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型，利用该模型，分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a-Si/poly-Si双结电池、a-Si/poly-Si/poly-Si三结电池，并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a-Si/poly-Si/poly-Si三结叠层电池，其子电池厚度为0.23/0.95/3μm，最高效率的22.74%。     

GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响

研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素.     

ITO-a-Si异质结太阳电池

在研究氢化a-Si生长条件的基础上,我们开展了ITO-a-Si异质结太阳能电池的研究和实验.初步做成了有光电转换的太阳能电池,在9cm~2的面积上成功地获得了三十五个微区面积,为了mm~2的单体电池,其典型参数是:Voc=223mV Jsc=1.5mA/cm~2.本文共分五部分.