6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

针对Cpk软件中正态分布函数应用要求的实现

随着工艺水平的发展，在统计过程控制应用中对数据的要求越来越高，因此对工序能力指数Cpk值的精度要求也越来越高。文中对Cpk软件常规中正态分布函数计算上限达不到要求提出了改进，通过误差函数来计算，在主函数中定义计算函数的循环次数达到200次，这样的计算结果精度得到了提高。这种提高数据精度的方法能够使得上限达不到精度要求的情况得到一定程度的解决，使得Cpk软件得到更好的应用。     

基于遗传算法的Kriging元模型及其在模拟集成电路优化设计中的应用

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.     

油库付油系统检定标准装置导油管线的拆装对检定结果的影响研究

本文研究了付油系统检定标准装置下出口导油管线的拆装对标准装置检定结果产生的影响。     

多变量工序能力指数系统模型

工序能力最终决定微电子工艺的质量水平。工序能力指数确定能够有效地确保微电子工艺水平。随着微电子工艺水平的快速发展,工艺趋于复杂化,工艺水平评价需要关注一个以上的特征参数。因此,传统的单变量工序能力指数不能有效综合的分析工序的水平。本论文提出了一个多变量工序能力指数模型系统。这个模型系统包括针对数据满足多变量正态分布的域多变量工序能力指数;针对数据不满足多变量正态分布的因子多变量工序能力指数;以及成品率多变量工序能力指数。最后通过实例分析算验证这些多变量工序能力指数是有效和实用的。     

半导体质量控制中的非正态工序能力指数计算模型

分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力指数计算模型,该模型能克服数据偏差大时对计算结果的不良影响,并且其代数计算公式可以简化计算.实例分析结果准确有效.     

大类培养模式下"半导体物理与器件"的教学改革

本文分析了在大类培养模式下"半导体物理与器件"课程存在的问题,并基于大类培养方针,结合微电子专业的特点,对"半导体物理与器件"课程提出了教学改革方案.通过合理安排教学内容,采用多样化教学手段,从而改善教学效率,提高学生的学习兴趣和自主性,促进高校高质量地培养微电子领域人才.     

半导体质量控制中的非正态工序能力指数计算模型

分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力指数计算模型,该模型能克服数据偏差大时对计算结果的不良影响,并且其代数计算公式可以简化计算.实例分析结果准确有效.     

大类培养模式下“半导体物理与器件”的教学改革

本文分析了在大类培养模式下“半导体物理与器件”课程存在的问题,并基于大类培养方针,结合微电子专业的特点,对“半导体物理与器件”课程提出了教学改革方案。通过合理安排教学内容,采用多样化教学手段,从而改善教学效率,提高学生的学习兴趣和自主性,促进高校高质量地培养微电子领域人才。     

MOSFET和IGBT器件在开关电源中的一种应用方法及其仿真

为了降低开关电源中开关器件的开关损耗,介绍一种带辅助管的软开关实现方法,将IGBT和MOSFET这两种器件组合起来,以IGBT器件为主开关管,MOSFET器件为辅助开关管,实现零电流（ZCS）软开关模式。先从理论分析入手,提出电路形式以及开关方法,然后针对这种开关方法的不足之处,提出改进后的开关方法。交替开关方法。并在PSpice中对所有结论通过了仿真验证。