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SiC器件的高开关速度使其瞬态过程的非理想特性大为增加,对杂散参数也更为敏感,容易激发高频振荡和过冲.为充分发挥其高开关速度优势,提升系统控制性能,首先,建立SiC MOSFET开关瞬态解析模型,提取了开关过程的关键动态性能参数电流变化率(di/dt)和电压变化率(dv/dt);其次,通过理论分析,明确了di/dt和dv/dt的关键影响因子为驱动电阻、栅源电容、栅漏电容和温度.然后,在Simplorer软件中搭建双脉冲测试电路,定量分析了不同驱动参数和温度对di/dt和dv/dt的影响规律.结果 表明:驱动参数对di/dt和dv/dt具有不同的控制效果,并且di/dt和dv/dt在开通、关断过程分别体现正温度特性和负温度特性.最后,以150℃环境为例,通过减小关断电阻补偿温度影响,实现了在不增大电应力的前提下,关断损耗降低了8.37%. 相似文献
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为研究地下电缆导体温度和载流量以及设计合理的电缆敷设方式,结合传热学理论、利用有限元分析法,建立了埋在地下电力电缆的电磁热耦合计算模型,基于该模型载流量的计算结果与基于IEC 60287标准的计算结果进行对比验证。探讨了电缆敷设深度、相间距离、热回填及相序的变化对电力电缆导体温度和载流量的影响,通过多元线性回归分析了不同因素对电缆导体温度及载流量影响的强弱程度。研究结果表明,电缆的敷设方式较大地影响着电缆导体温度及载流量:敷设深度越大,相间距离越小,热回填导热系数越小,电缆导体温度越高,载流量越低;其中,热回填导热系数对电缆导体温度及载流量的影响最为显著,相序影响最小。因此在直埋电缆敷设工程中,应配合高导热系数的热回填,增强电缆散热效果,从而保障电缆安全经济运行。 相似文献
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