一种电动式ATOS扫描与测量平台的设计

根据ATOS三维扫描仪的扫描工作原理,提出了一种适合于ATOS扫描仪扫描的电动式5自由度扫描平台的设计方案,并对该扫描平台进行了详细的造型设计.设计完成的扫描平台上的基准盘可以沿X、Y、Z轴平移,绕Y轴摆动±75°和绕Z轴旋转360°;在ATOS扫描仪镜头不移动的情况下,实现被扫描物体在任意姿态下的扫描以及任意形状物体的扫描测量.     

国内硬质涂层工艺和设备发展的概况

根据1980年以来国内硬质涂层工艺和设备发展的情况,与国外同类技术发展的进程作了对比,就涂层材料、工艺方法、设备性能和推广应用的环节等四个方面进行评述。     

DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理

等离子(增强)化学汽相淀积(Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition)简称PCVD(或PECVD)技术是生长用于半导体器件的固体薄膜的一种新工艺,即低温(<400℃)工艺。DD-500等离子淀积台是为了用PCVD技术生长氮化硅钝化膜而设计的。但本设备还能低温淀积等离子氧化硅作多层布线的介质膜和掺杂的氢化无定形硅(α-Si)制作太阳     

背环式磁控溅射靶

本文报导了磁控溅射靶设计的一种新思路，这种长条矩形靶是垂直安装并双面溅射的靶，溅射轨道按“背环”方式来布局一种新靶型，称为背环靶。背环靶最主要的优点是：与同样靶长的其他靶型相比，溅射有效均匀区最长，因而膜层均匀性和重复性较好。这种靶型，或在该靶型结构思路上变换出来的新靶，在其他机型中应用，也有若干明显的优点。     

国内硬质涂层工艺和设备发展的概况

根据1980年以来国内硬质涂层工艺和设备发展的情况，与国外同类技术发展的进程作了对比，就涂层材料．工艺方法，设备性能和推广应用的环节等四个为面进行评迎。     

平面磁控溅射靶的磁场设计

磁控溅射是七十年代发展起来的一种新型溅射技术[1]、[2]、[3],目前已经在科研和生产中实际应用。磁控溅射与一般溅射相比,具有高速、低温、低损伤等优点。高速,是指淀积速率快;低温和低损伤,是指基片的温升低,损伤小。 磁控溅射之所以具有这些优点,关键在于阴极靶面上具有环状     

走向工业应用的离子辅助光学镀膜技术

介绍一种新型等离子体辅助镀膜技术,使用该技术可使高质量的光学镀膜大量生产。该技术核心是无栅等离子体源（ＧＩＳ）。ＧＩＳ可以产生大面积的均匀等离子体。直径大于１０００ｍｍ。等离子体离子流强度高达０．５ｍＡ／ｃｍ＾２,离子流能量２０－２００ｅＶ,并能激活反应气体Ｏ２及蒸发原子,用ＧＩＳ进行的等离子体离子辅助镀膜这一技术,现正用于生产高质量的光学薄膜。     

PE/RIE用自寻优功率匹配器的研究

本文用分布参数电路理论对干法刻蚀(PE/RIE)机中从射频电源到反应真空室的功率传送电路进行了分析。用双口网络的分析方法推导出求解L型匹配网中可变电容C_P、C_M在负载Z_L下最佳匹配值C_P、C_M的计算公式。由于当反射功率P_(ref)等于零时射频放电光电信号V_L达到最大,通过测量一定负载条件下V_L与C_P、C_M的关系,提出了采用自寻优的控制策略实现自动匹配的新方法。这种方法比传统的鉴相鉴幅法自动匹配器电路简单、控制范围宽、稳定性好,有利于半导体干法刻蚀新工艺的开发和研究。自寻优匹配器由硬件和软件相结合的方法构成。硬件以8031单片微机为中心,软件采用改进的座标轮换成功失败法。经实际运行,稳定可靠,满足干法刻蚀工艺的要求。