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亚微米半导体器件模拟方法的探索 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了近十年来半导体器件模拟的发展概况,阐述了漂移扩散模型(DDM)、流体动力学模型(HDM)、玻耳兹曼模型(BTM)、全量子模型(QTM)的各自适用范围,概括了玻耳兹曼的一些新解法,HDM,BTM适合于亚微米半导体器件的模拟。 相似文献
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用纯数值技术计算了50~150K下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率,考虑了Fermi-Dirac统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响,结果发现比简化模型有较高的数值精度,而且可插入到半导体器件模拟软件PISCES中。 相似文献
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