Zn在AlGaAs和GaAs中的开管扩散

zn在AlGaAs和GaAs中开管箱法扩散这一新方法已经发展起来。在700℃时,Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)(0.1≤X≤0.5)中的扩散深度和质量与常规的闭管扩散工艺相比较,显然新工艺对于精确控制扩散深度和允许的浅扩散而提供了条件。用Van der Pauw方法测量了电阻率和表面载流子浓度。扩散质量受到选择的金属溶剂的影响。研究了金属溶剂的某些变化。这一技术在单片光集成器件中对欧姆接触有所改造。     

GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触

一、前言欧姆接触是制管工艺的主要环节之一,欧姆接触的好坏对器件性能有很大的影响。为了使所需的电压电流顺利地加到发光器件上,发光二极管必须具有N面和P面电极。电极和器件之间应形成良好的欧姆接触。良好的欧姆接触应具备下列条件:(一)具有低的接触电阻;(二) 电极材料不宜过深掺入半导体内,由于制作接触电极而引起的半导体结构上的变化不致于引起器件其他特性的变化;(三) 电极和半导体接触面必     

隐埋月牙形InGaAsP/InP(1.3μm)激光器的退化问题及改进结构

我们发现,隐埋月牙形(BC)InGaAsP/InP激光器的退化是在液相外延生长期间,将形成p-n结的表面在接触溶液之前暴露在高温H_2中而引起的。为了消除退化,而制作了一种新结构的BC激光器,并获得了80℃下稳定连续的工作。